10月17日消息,提供基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的耐高温、长寿命、高效率、紧凑型驱动电路和智能功率模块解决方案的领先供应商CISSOID S. A.（CISSOID）,与第三代功率半导体技术领域先进的芯片设计、器件研发、模块制造及系统应用创新解决方案提供商重庆平创半导体研究院有限责任公司，今日共同宣布：双方已建立战略合作伙伴关系，将针对碳化硅等第三代功率半导体的应用共同开展研发项目，使碳化硅功率器件的优良性能能够在航空航天、数字能源、新能源汽车、智能电网、轨道交通、5G通信、节能环保等领域得以充分发挥，并提供优质的高功率密度和高温应用系统解决方案。
第三代宽禁带半导体（如碳化硅）已日趋成熟和大规模商业化，并且在几乎所有电力电子领域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于体硅的功率器件，从而进入电动汽车、轨道交通、船舶、太阳能、风能、电网及储能等等应用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益处是减小体积、提高效率；更为重要的进步，将是充分发挥碳化硅的性能优势，从而能够实现原本体硅IGBT难以实现或根本不能做到的应用，为系统应用设计者提供全新的拓展空间。
这些超越传统体硅IGBT能力的电力电子应用的重要性体现在两个主要方面：其一，在高功率密度应用中，功率器件本身的发热所导致的温升，使得器件耐温能力的选择和热管理系统的设计尤显重要；其二，由于受应用环境和成本的影响，许多高温环境应用通常是没有液冷条件的，这样就更加考验器件本身的耐温能力及其高温工作寿命。因此，高温半导体技术对于第三代宽禁带半导体技术的广泛应用至关重要。
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