近日，半导体领域的创新先锋NEO Semiconductor宣布了一项可能重塑DRAM内存市场的突破性进展——两款全新的3D X-DRAM单元设计，即1T1C和3T0C。这两项设计不仅预示着存储技术的重大飞跃，还预示着未来内存容量的显著提升。
据悉，1T1C和3T0C分别采用了单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构，这种创新设计预计将于2026年迎来概念验证测试芯片的生产。与传统DRAM模块相比，这两款新设计的内存容量将实现质的飞跃，提供至少10倍的容量提升。
基于NEO的3D X-DRAM技术，新设计的内存单元能够在单一模块上实现512Gb（即64GB）的惊人容量，这一数字远超当前市场上任何一款DRAM模块。这无疑为大数据处理、高性能计算和人工智能等领域带来了前所未有的机遇。
在性能表现方面，NEO的测试模拟结果显示，这些新设计的内存单元读写速度可达10纳秒，数据保留时间超过9分钟。这两项性能指标均处于当前DRAM技术的最前沿，为用户提供了更快、更可靠的数据存储解决方案。
新设计还采用了基于氧化铟镓锌（IGZO）的材料，使得1T1C和3T0C单元能够像3D NAND一样进行堆叠设计。这种设计不仅提高了存储容量和吞吐量，还保持了节能状态，满足了现代电子设备对高效能和低功耗的双重需求。
NEO Semiconductor的首席执行官Andy Hsu对此表示：“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正站在内存技术变革的前沿。这一创新不仅突破了当前DRAM的扩展限制，还为NEO赢得了下一代内存技术领导者的地位。”他进一步透露，NEO将在本月的IEEE国际存储器研讨会上分享更多关于这两款新设计以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列产品的详细信息。
本文链接：http://www.28at.com/showinfo-45-12750-0.html新一代3D X-DRAM技术亮相：内存容量飙升10倍，将如何改变未来？
声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com
Copyright © 2016-2023 天津谷骐科技有限公司 版权所有 sitemap.xml
违法及侵权请联系：2376512515@qq.com 津ICP备18001702号
津公网安备 12010102000574号
