集微网消息，据外媒报道，咨询公司Frost&Sullivan日前举行的宽禁带半导体研讨会上，美国产业界专家对拓展新一代半导体材料应用领域提出了新的见解。
Navitas Semiconductor投资者关系副总裁Stephen Oliver提出“改造”氮化镓和碳化硅的想法。Oliver指出，GaN可以使用传统硅晶圆厂进行制造，这些晶圆厂通常采用500 nm工艺技术，仅在美国就有440家晶圆厂使用6英寸传统硅工艺和设备，可以用最少的投资进行改造来生产GaN。这种方法通过利用新材料同时重新利用现有设备，符合设施层面的“减少、再利用、回收”原则。改造GaN和SiC材料可能成为宽禁带半导体的盈利途径，目前其在生产和提高晶圆厂效率方面面临挑战。
另一项新兴技术进步是绿色氢能，其环境效益是能源生产中温室气体零排放。
Frost&Sullivan全球电力和能源研究负责人Jonathan Robinson指出，“这个行业在三年前几乎不存在，但现在正在全球范围内迅速部署大量投资，中国、美国和欧盟处于领先地位，许多国家优先考虑本国境内的设备制造和氢气生产。过去18个月至两年的地缘政治事件进一步凸显了绿色氢的重要性，使其成为许多国家的首要任务。因此，绿色氢能行业正处于非常强劲的增长轨道。”
报道指出，宽禁带半导体已用于太阳能DC/DC转换器，也可以在绿色氢中找到类似的应用。绿氢行业对宽禁带半导体具有巨大的潜力，因为它们在生产和利用绿氢方面发挥着双重作用。GaN和SiC器件通常用于其他应用领域以提高功率效率，可以在提高电解水制氢效率方面发挥关键作用。
绿色氢还可用于燃料电池汽车，它为内燃机汽车提供了更清洁的替代品。宽禁带半导体可以提高这些车辆所用燃料电池系统的效率和性能，有助于减少排放并提高整体可持续性。
Leapers Semiconductor销售总监Alexey Cherkasov则表示，SiC可用于航空航天和高超音速飞机领域。这归因于SiC可以在超过800°C的温度下工作，激发了人们对SiC MOSFET太空探索应用的兴趣。
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