最近，国内有3家碳化硅企业公布了8吋SiC的新进展，包括中国电科55所、三安半导体和南砂晶圆。
55所即将建设8吋SiC
年产能20万片
据“南京日报”报道，9月6日，位于南京的国家第三代半导体技术创新中心实现了一期项目竣工投产。
该中心负责人介绍，一期项目是依托55所原有11#厂房区域，“以存量带增量”的方式，打造6英寸SiC电力电子器件研发与中试平台，并且已经在国内率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术。
而随着一期项目投运，该中心的二期项目的建设又排上了“时间表”。
据“行家说三代半”了解，中国电科首席专家柏松在上周六（9月2日）的一场线上活动透露，他们将在2024年启动8英寸SiC晶圆线的建设。
这与南京日报的报道吻合，报道提到：该中心的二期项目计划于2024年开建，规划年产20万片8英寸SiC晶圆片，工厂将设计8英寸芯片制造、先进晶圆封装、模块封装平台，实现孵化、成果转化、学术交流、公共服务等功能。
6月7日，意法半导体和三安光电宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约228.2亿人民币）。
签约当天，该工厂还举行了奠基仪式，计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成。
根据公告，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。
南砂晶圆研发“零缺陷”8吋衬底
SiC扩产线落户济南
8月30日，南砂晶圆/山东大学在《无机材料学报》公布了8英寸SiC的最新进展。
2022年，南砂晶圆就研发出了8英寸导电型 4H-SiC 晶体，并加工出厚度520 μm衬底。
根据该文献，南砂晶圆这次是在位错缺陷控制方面取得了重大突破——他们使用PVT法制备了几乎“零螺位错（TSD）”密度和低基平面位错（BPD）密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底，其中TSD为0.55cm-2，BPD为202cm-2。
该研究团队认为，近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC衬底制备，有助于加快国产8英寸SiC衬底的产业化进程，提升市场竞争力。
据“行家说三代半”此前报道，今年6月，南砂晶圆SiC扩产基地项目计划落地济南，其济南项目的主建方为全资子公司山东中晶芯源。
南砂晶圆济南扩产基地负责人李树强曾透露，该项目计划在2025年满产达产，届时预计产值达到50亿元以上。
此外，南砂晶圆在广州南沙区布局了碳化硅项目，总投资9亿元，达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。据“广州日报”报道，该项目今年4月已经试投产。
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