集微网消息,据台媒电子时报报道,在人工智能热潮中,CoWoS等先进封装技术获得了市场的广泛关注,但基于3D Chiplet(小芯片)技术的智能手机AP(应用处理器)预计要到2025年之后才会大量采用。
随着摩尔定律接近物理极限,以及愿意承担3nm以下先进工艺高成本的大客户数量有限,晶圆级SiP和逻辑芯片3D堆叠的概念正在成为下一个重要趋势。
消息人士称,与在单个节点上制造整个SoC相比,随着晶圆堆叠技术的成熟,基于Chiplet技术构建芯片更容易,产量更高,成本控制也更好。同时,除了由单一制造商制造和封装先进芯片外,这种分工还可以应用于SoIC,代工厂采用先进制造技术制造芯片,FCBGA后端封装可以由OSAT(外包半导体封装和测试)完成。
采用先进封装的3D芯片预计将在2025年后被大量采用。目前,苹果是台积电InFO PoP先进封装的唯一客户。消息人士表示,过去7-8年里,由于成本和供应链多元化问题,联发科和高通等非苹果AP供应商并未引入台积电的Fan-out(扇出型)封装。苹果打算在可预见的未来继续在其A系列芯片中使用InFO,以避免Fan-out封装可能引入的功耗和散热方面的潜在不确定性。
几年前,联发科曾寻求有关台积电InFO技术的信息。然而,由于对良率以及大规模生产有限的担忧,非苹果AP供应商选择不采用先进封装。他们在未来2-3年内采用这项技术的可能性仍不确定。
据消息人士透露,PC和笔记本电脑中使用的基于SoIC(单线集成电路小轮廓封装)技术的CPU后端封装可以外包给OSAT,因为后端制造需要与基板相关的FC(倒装芯片)封装,但使用SoIC技术的智能手机AP则并非如此。
在2020-2021年左右,联发科和高通曾向台积电询问是否使用不带DRAM的InFO技术,台积电针对其需求推出了Bottom Only InFO_B。尽管如此,该技术仍处于开发阶段,尚未商业化。
熟悉移动AP的业内人士表示,无论是台积电InFO还是Fan-out PoP封装,安靠、日月光、长电科技都可以做,已经基本成熟,跳跃的空间有限。此外,与Fan-out封装相比,FC PoP封装成熟且具有成本效益。
对于OSAT来说,Fan-out封装的生产经验和成本竞争力不如晶圆代工厂,这也是各大IC设计公司尚未引入该技术生产芯片的原因之一。
综上所述,由于当前智能手机低迷、库存高企、成本上升等负面因素,引入Fan-out封装并不务实,更不用说3D芯片了,更没有理由在智能手机中引入3D Chiplet AP。
尽管如此,从中长期来看,智能手机AP采用先进封装是必然趋势。预计到2026-2027年,台积电SoIC产能将增长20倍,首先应用于PC和笔记本CPU,然后采用InFO封装的3D芯片引入智能手机AP。苹果和台积电有望引领这一趋势。
(校对/张杰)
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