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晶能光电首发硅衬底 InGaN基三基色Micro LED外延

来源：责编：时间：2023-09-02 18:19:06 216观看

导读近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。晶能光电展示12英寸硅衬底红、绿、蓝光InGaN基LED外延片快检EL点亮效果据悉，晶能光电创立于2006年，是具有底层芯片核心技术的

近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。

晶能光电展示12英寸硅衬底红、绿、蓝光InGaN基LED外延片快检EL点亮效果

据悉，晶能光电创立于2006年，是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电产品提供商，为全球客户提供高品质的LED（外延、芯片、封装和模组）光源和感知传感器件产品和解决方案。

基于近20年的硅衬底GaN基LED技术和产业化积累，晶能光电早在2020年便推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技术，目前仍在持续研发以提升InGaN红光光效。

2021年9月，晶能光电成功制备像素点间距为25微米、像素密度为1000PPI的硅衬底InGaN红、绿、蓝三基色Micro LED阵列。目前，像素点间距这一重要技术指标已缩至8微米。

2022年，晶能光电突破8英寸硅衬底InGaN基三基色Micro LED外延关键技术，并成功制备5微米pitch的Micro LED三基色阵列，积极布局新兴市场。

晶能光电表示，受成本和良率的驱动，向大尺寸晶圆升级已是Micro LED产业化的确定发展趋势，这也契合公司在硅衬底GaN基LED技术领域的持续创新追求。大尺寸晶圆不仅可以大幅度提高Micro LED外延片和CMOS背板的利用率，并且更利于兼容成熟的硅IC设备及工艺，提高Micro LED制程效率，降低成本，加速Micro LED技术的商用进程。

据晶能光电副总裁付羿博士介绍，大尺寸硅衬底Micro LED外延生长对GaN晶体质量、外延翘曲、外量子效率、光电一致性和InGaN红光MQW等关键技术开发带来了更严苛的挑战。

此次12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝三基色Micro LED产业化外延技术的发布，表明晶能光电利用其硅衬底GaN基LED技术不断的创新迭代能力，已经初步攻克上述关键技术挑战，为后续技术和工艺的优化和完善铺平了道路。

晶能光电进一步表示，苹果在今年推出Vision Pro，给全球AR/VR行业带来更高的热度，但Vision Pro不会是终点，人们对轻便、高效的可穿戴显示技术的期待越来越热切，这将大大推动各种微显技术的创新和应用。

基于大尺寸硅衬底的Micro LED工艺路线在成本、良率和光效上极具潜力，有望成为微米级Micro LED的主流产业化路线，12英寸硅衬底三基色Micro LED外延技术的突破，将在这一方向上有力推动Micro LED显示技术向前发展。（文：化合物半导体市场）

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