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N-沟道功率MOSFET-MPF12N65

来源: 责编: 时间:2023-08-14 22:01:29 194观看
导读MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管;它由金属、氧化物和半导体材料构成;分为N沟道型(NMOS)和P沟道型(PMOS)两种类型;具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管;它由金属、氧化物和半导体材料构成;分为N沟道型(NMOS)和P沟道型(PMOS)两种类型;具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。hAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流流动,实现信号放大或开关操作;由于MOS管结构简单,可以实现高度集成的电路设计,在现代电子技术中起着不可忽视的作用。hAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


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可广泛应用于电子设备中,如集成电路、电源管理、通信系统等领域;MOS管在集成电路中作为逻辑门、存储器和微处理器等关键组件,可以实现高度集成和小型化。在电源管理中,MOS管用于电池管理、功率放大和开关控制等。在通信系统中,MOS管用于射频功率放大器、调制解调器和滤波器等。hAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


由工采网代理的MPF12N65是一款高压平面MOS管;采用N-type沟道形式;TO-220F封装;可应用于LED电源/适配器/PD快充等等。hAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


MPF12N65特性:hAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


额定电压(电流):650V-12AhAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


栅极开启电压:2.0V~4.0VhAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


导通电阻:典型值0.65Ω,绝对值为0.8ΩhAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


栅极电荷量(nC):40.2hAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


输入结电容(pF):1780pFhAw28资讯网——每日最新资讯28at.com


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