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突破美制裁，长鑫存储展示3纳米GAA技术

来源：责编：时间：2023-12-14 16:38:31 263观看

导读中国大陆记忆体领军企业长鑫存储（CXMT）在第69届IEEE国际电子元件年会（IEDM）上亮相，发布了引领科技潮流的研究成果——3纳米级芯片所采用的环绕式闸极结构（GAA）技术。尽管该公司尚未提供样品，但其卓越的研发成果引起了业界的广

中国大陆记忆体领军企业长鑫存储（CXMT）在第69届IEEE国际电子元件年会（IEDM）上亮相，发布了引领科技潮流的研究成果——3纳米级芯片所采用的环绕式闸极结构（GAA）技术。尽管该公司尚未提供样品，但其卓越的研发成果引起了业界的广泛关注。

南华早报披露，虽然目前未有MeganeX的样品面世，但这一设计的前瞻性激起了业内分析师的兴趣，因为这涉及到一些受到美国出口限制的技术。

长鑫存储在声明中表示，这项研究“描述了与DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究”，并且明确表示与当前生产工艺无关，表明该技术还未完全成熟。

长鑫存储最近宣布成功生产出大陆首款低功耗双倍资料速率5（LPDDR5）DRAM芯片，缩小了与全球领先企业如三星和SK海力士的差距。

在全球科技摩擦升级的背景下，美国工业和安全局设定了更高的出口标准，限制了中国大陆的芯片制造能力。长鑫存储的新技术引起了专家的注意，被认为“打破了美国的制裁”。

长鑫存储的首次公开募股也传出可能推迟的消息，估值约人民币1,400亿元，成为最新一家因市场波动而取消首次亮相的中国公司。这一系列的举措显示了中国企业在全球芯片制程领域的迅速崛起。

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