三星、SK海力士计划在2024年进行设备投资，以提升HBM等产品的生产能力。他们将采取“既有设备再利用及改良战略”，延长既有设备的使用时间，同时节省设备投资费用。
据报道，三星和SK海力士正在考虑多种设备投资方案，以实现“减少先进制程转换费用”的目标。虽然这两家公司正在转换DRAM和NAND的制程，需要更换一些设备零件并改善软件，但他们计划通过再利用和改良既有设备来节省投资成本。
此外，三星还计划在晶圆代工事业中采取相似的策略。因为一些设备在DRAM、系统半导体和晶圆代工等制程中折旧完毕后，可以转至NAND制程再利用。
据相关人士透露，这种既有设备再利用及改良的方式并不是新的策略，而是为了提高设备投资效率而做出的选择。
目前，三星和SK海力士决定维持既有DRAM和NAND主力产品的减产策略，但同时将提升高带宽存储器（HBM）等产品的设备投资。他们将优先考虑HBM产能所需的矽穿孔（TSV）设备投资。HBM是以垂直方式连结数颗DRAM，较既有DRAM大幅提升数据处理速度，近期因人工智能（AI）热潮兴起，致使HBM需求暴涨，存储器业者也积极发展HBM事业。在此背景下，外界预期三星和SK海力士的大部分新设备投资将投注到HBM产能。
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