ictimes消息，三星公司在半导体领域取得了引人注目的突破，其极紫外（EUV）光刻技术实现了显著的进展。在最近举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业部研究员康永锡(Kang Young-seok)详细介绍了EUV技术的现状和未来发展方向。
据了解，三星的EUV技术的核心在于其对EUV薄膜的创新应用，这种材料在半导体生产的光刻过程中扮演着至关重要的角色，能够有效保护光刻区域，防止外部颗粒引起的缺陷。康永锡透露，三星目前采用的EUV薄膜透光率已经达到惊人的90%，而公司计划将其进一步提升至94-96%的水平。
这一90%的透光率意味着只有部分光线能够穿透薄膜，达到掩膜的效果，相较于一般使用氟化氩（ArF）光源的光刻工艺，其透光率较低，后者通常能够达到99.3%。这突破性的技术提升为三星在EUV代工生产线上引入了更多的客户打开了新的可能性。尽管在DRAM生产中也采用了EUV工艺，但鉴于生产效率和成本的考虑，存储器的量产仍然被认为是可行的选择。
此外，康永锡暗示三星在采用EUV薄膜时并未选择国内供应商的产品。他透露，目前唯一的供应商是日本三井公司。虽然韩国的一些公司，如FST和S&S Tech，也在积极开发EUV薄膜，但迄今为止还未达到量产的水平。
这一新闻表明，三星在半导体领域不断取得创新突破，其EUV技术的进步为行业带来了新的发展方向。随着EUV薄膜透光率的不断提升，相信三星将在未来取得更加显著的成就，推动半导体制造技术迈向新的高度。
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