英飞凌科技股份公司（以下简称“英飞凌”）与英飞源技术（深圳）有限公司（以下简称“英飞源”）宣布达成合作，将共同拓展新能源汽车充电市场。英飞凌将为英飞源提供1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体元件，以提升电动汽车充电站的效率。
英飞凌的CoolSiC MOSFET是基于碳化矽（SiC）的功率半导体，具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势。这种元件能够大幅提高充电效率，加快充电速度，为电动汽车车主创造更好的用户体验。
英飞源是国内新能源汽车充电市场的领军企业，一直致力于提供高效、可靠的电动汽车充电解决方案。此次合作将进一步加强英飞源在新能源汽车充电市场的领先地位。
由于拥有高功率密度，SiC适用于开发高效能、轻量且紧凑的充电解决方案，这对超级充电站及超紧凑壁挂式直流充电桩尤为有益。SiC技术相比传统的矽技术可将电动汽车充电站的效率提高1%，从而降低了能耗和营运成本。以一座100 kW的充电站为例，这意味着节省1 kWh电能，每年节省270欧元成本，以及减少3.5吨碳排放。这将大幅推动SiC功率元件在电动汽车充电模块中的应用。
作为最早将沟槽闸技术用于晶体管的SiC功率半导体制造商之一，英飞凌推出了帮助提高充电解决方案可靠性的先进设计。这些元件具有高阈值电压，并简化了闸极驱动。CoolSiC MOSFET技术在上市前已通过马拉松应力试验及闸极电压跳变应力试验，并在上市后定期进行监控，以确保拥有最高闸极可靠性。
采用英飞凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飞源的30 kW直流充电模块能够实现宽恒功率范围，高功率密度，最小电磁辐射和干扰，高保护效能，以及高可靠性。这使其不仅能够满足大多数电动汽车的快速充电需求，还能实现比市场上的其他解决方案高出1%的效率。这有助于大幅降低能耗和碳排放，达到全球领先水准。
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