减产保价策略有效,DDR5和NAND内存平均上涨约20%。台湾记忆体制造商南亚科、华邦电、旺宏以及模组厂威刚、十铨、创见、宜鼎、宇瞻、点序、群联等有望跟涨。
价格上涨主要原因有四:华为Mate 60新机销售旺,带动Android手机厂商提前推出新机,增加DRAM需求;三星控制出货量,PC厂商补库存时间延长;手机需求上调,DRAM厂商将服务器DRAM投片调整为行动和PC DRAM,服务器DRAM供给压力降低;网络摄影机、网通等利基应用厂商因涨价预期而补充库存。预计2024年记忆体产业将走向价量齐扬。
随着终端传统备货旺季进入尾声,记忆体11月现货价格的涨幅明显趋缓,但第4季上游NAND原厂释出产能持续减少,记忆体模组厂想逢低敲定大单却无法如愿。
尽管短期通路市场出现库存积压的现象,NAND Flash Wafer涨势不减反增,主流512 Gb现货价单月调涨约2成,站上2.6美元。随着市场行情先行指标的现货市场从第3季启动涨势,记忆体合约价第4季相继跟进调涨,除了行动式记忆体受惠于手机品牌厂年底回补库存,合约价季增约15~20%,随着PC 与伺服器平台进入更新迭代,DDR5渗透率日益提升,带动DDR5价格上涨双位数幅度。
本文链接:http://www.28at.com/showinfo-27-35158-0.htmlDDR5、NAND上涨约20%
声明:本网页内容旨在传播知识,若有侵权等问题请及时与本网联系,我们将在第一时间删除处理。邮件:2376512515@qq.com
上一篇: 630亿元,京东方投资建设第8.6代AMOLED生产线项目
下一篇: 长鑫存储推出LPDDR5系列产品