SemiQ最新推出的SiC模块系列，采用了创新的SOT-1封装，并搭载了200V和227V的MOSFET，可选配1,200V SiC肖特基二极管。这一系列模块的推出旨在扩大QSiC SiC模块的选择范围，提供更多的设计灵活性。
这些全新SiC模块建立在高性能陶瓷的坚实基础上，经过精心设计，以确保在苛刻的环境下保持卓越的性能水平。其高击穿电压（> 1,400 V）、高温工作（TJ= 175°C）以及低Rds(On)位移等特性，使其在各种应用场景下都能表现出色。此外，模块还具备最长的栅极氧化层寿命和稳定性、抗雪崩（UIS）以及更长的短路耐受时间，进一步提升了其可靠性。
这一系列SiC模块的应用领域广泛，包括电动汽车充电、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动压缩机、燃料电池转换器、医疗电源、储能系统、太阳能和风能系统、数据中心电源、UPS/PFC电路等。特别值得关注的是，这些模块与现有的SOT-227 SiC SBD模块结合使用，为用户提供更多选择。
为了确保每个新的QSiC模块都具有稳定的栅极阈值电压和高质量的栅极氧化物，SemiQ采用了晶圆级的栅极老化测试。除了普通的老化测试外，模块还经过了一系列应力测试，包括高温反向偏置（HTRB）漏极应力、高湿度、高压和高温（H3TRB）漏极应力等，以确保其符合工业使用的高质量标准。
总体而言，SemiQ的新型SiC模块不仅在设计上更加灵活，还在性能和可靠性方面取得了显著的提升。这将为电力电子应用领域带来更多创新和便利，推动SiC技术在各个领域的广泛应用。
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