英飞凌(Infineon)的绿能工业动力(GIP)部门总裁Peter Wawer近日接受采访时,分享了该部门的转型以及他对碳化矽(SiC)模块发展策略的看法。
英飞凌在2023年4月将工业电源控制(IPC)部门更名为GIP,业务重点从工业领域的自动化转移到再生能源及充电基础设施。Wawer强调,SiC对于GIP的成长至关重要。
他指出,SiC已经渗透到每个应用中,只有与客户密切合作,才能创新发展方式。英飞凌已经开发出3300V的SiC零件,并向客户提供首批3300V模块的样品。
Wawer表示,虽然SiC的快速开关应用损耗比IGBT低约80%,但SiC的价格高得多。然而,英飞凌已经找到了降低成本的机会,SiC在某些应用可以提供巨大的成本优势。
为了继续投资于SiC的生产,英飞凌正在德勒斯登晶圆厂投资50亿欧元,继续投资菲拉赫的12寸晶圆厂,并将传统矽转化为SiC。同时,他们还扩建了位于马来西亚居林的8寸晶圆厂,目标是打造全球最大的8寸SiC晶圆厂。
Wawer表示,菲拉赫晶圆厂正准备生产8寸SiC晶圆的电气样品,并考虑进军氢能源业务。英飞凌预估,未来10年,全球电网每年投资将倍增,达到3,000亿至6,000亿欧元。
在此领域,对IGBT电源的需求不断增长,客户也在关注SiC。虽然英飞凌已经在讨论开发高功率氮化镓(GaN)产品,但目前还没有明确的前进方向。
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