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降低成本是国产碳化硅器件上车关键

来源：责编：时间：2023-11-21 09:39:38 187观看

导读中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会在长沙成立，为推动汽车功率芯片的本土化迈出关键一步。在成立大会兼汽车功率芯片发展研讨会上，与会者了解到，汽车结构性芯片短缺为国产芯片创造了发展机遇，而提高性价比成为国

中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会在长沙成立，为推动汽车功率芯片的本土化迈出关键一步。在成立大会兼汽车功率芯片发展研讨会上，与会者了解到，汽车结构性芯片短缺为国产芯片创造了发展机遇，而提高性价比成为国产功率芯片、尤其是碳化硅功率半导体发展的关键。

专家指出，在电动车中，若前后驱都采用功率半导体，这类半导体约占电机控制器成本的50%。

业内人士认为，功率半导体包括IGBT、碳化硅(SiC)功率半导体。共识是，20万元以下电动车使用IGBT，而20万元以上的车型则采用碳化硅功率半导体。碳化硅功率半导体具有小损耗、高耐压、高耐温等优势，被认为是未来功率半导体的发展趋势之一。

目前汽车行业仍面临结构性芯片短缺，电源、控制、通信、计算、功率等领域的芯片都处于紧缺状态。碳化硅芯片项目建设需18-24个月，因此，投资在去年的多个碳化硅项目要到2025年才能释放产能，预计到2025年，碳化硅功率半导体的短缺状况才会有所缓解。

为解决芯片短缺风险，国产化成为一种解决方案。目前，国内的碳化硅供应商尚未大规模提供车规产品。由于碳化硅器件的制作工艺要求高，成本较硅基器件高数倍，因此目前生产工艺尚不够成熟，良率不高，成本较高，但未来有望降低。

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