三菱电机与安世半导体联手研发SiC半导体

近日，三菱电机宣布与Nexperia B.V.达成战略合作，共同致力于电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体开发。此合作中，三菱电机将以其宽禁带半导体技术负责SiC MOSFET芯片的研发和供应，而Nexperia则将专注于SiC分立器件的开发。LR428资讯网——每日最新资讯28at.com

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Nexperia高级副总裁兼双极分立业务部总经理Mark Roeloffzen表示这一合作是Nexperia碳化硅领域探索的重要一步。三菱电机作为碳化硅器件和模块领域的技术成熟供应商，将与Nexperia的分立产品和封装专业知识相结合，共同创造协同效应，为工业、汽车和消费市场提供高能效产品。LR428资讯网——每日最新资讯28at.com

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三菱电机半导体与器件执行官兼集团总裁Masayoshi Takemi表示，Nexperia在工业领域拥有领先地位，具备成熟的高质量分立半导体技术。双方建立的共同开发合作伙伴关系将充分发挥两家公司在半导体技术方面的优势。LR428资讯网——每日最新资讯28at.com

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三菱电机在高速列车、高压工业应用和家用电器等领域已取得领先地位。公司在碳化硅功率模块的开发和制造方面积累了卓越专业知识，以先进性能和高可靠性而著称。此次合作有望进一步推动碳化硅功率半导体技术的发展，为未来创新提供强有力支持。LR428资讯网——每日最新资讯28at.com

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这一战略合作标志着两大企业在碳化硅领域的共同探索，必将在推动半导体技术的前沿拓展中发挥积极作用。LR428资讯网——每日最新资讯28at.com

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