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艾恩半导体离子注入机研发取得突破

来源:icspec 责编: 时间:2025-05-11 10:30:57 119观看
导读据大众日报报道,艾恩半导体自主研发的第一代碳化硅离子注入机已进入市场验证阶段。此外,该公司对标国际领先技术的第二代碳化硅离子注入机正在加速研发,预计今年9月面市。今年6月,艾恩半导体还将推出一款硅基中束流离子注
据大众日报报道,艾恩半导体自主研发的第一代碳化硅离子注入机已进入市场验证阶段。此外,该公司对标国际领先技术的第二代碳化硅离子注入机正在加速研发,预计今年9月面市。今年6月,艾恩半导体还将推出一款硅基中束流离子注入机,而其碳化硅大束流离子注入机则计划于年底推向市场,有望填补国产设备在这一领域的空白。
离子注入机是芯片制造中仅次于光刻工艺的关键环节,其性能直接影响芯片内部结构器件的核心电学特性,对第三代半导体产业发展具有重要意义。由于技术门槛高、验证周期长,该领域长期被国外厂商垄断,国产化率较低,国内厂商易受制于人。在此背景下,艾恩半导体等国内企业积极布局,推动国产离子注入机的研发与应用。
艾恩半导体成立于2024年,在鲁信集团直管企业鲁信创投的支持下,将总部迁至山东济南高新区。鲁信创投在艾恩半导体成立初期便进行投资孵化,并通过招商引资助其落户山东,进一步完善了山东第三代半导体产业链。此举不仅促进了上下游企业的协同发展,还助力打造空间集聚、功能关联的第三代半导体产业集群。
图源:艾恩半导体

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