英特尔详细展示Intel 18A工艺

据报道，英特尔计划在2025年VLSI研讨会上详细介绍其Intel 18A制造技术（相当于1.8nm工艺）。这一技术相较于Intel 3（7nm工艺）在功耗、性能和面积（PPA）指标上实现了显著提升，为客户端和数据中心产品带来实际优势。
Intel 18A是英特尔首个采用环绕栅极（GAA）RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电网络（BSPDN）的节点。在相同电压（1.1V）和复杂度下，Intel 18A相比Intel 3工艺性能提升了25%；在相同频率和1.1V电压下，功耗降低36%。而在较低电压（0.75V）下，性能提升18%，功耗降低38%。此外，Intel 18A工艺的面积缩小率达到0.72倍。
标准单元布局的优化进一步凸显了Intel 18A的进步。高性能库中的单元高度从240CH降至180CH，高密度库中的单元高度从210CH降至160CH，垂直尺寸减少约25%。更紧凑的单元架构不仅提升了晶体管密度，还提高了面积效率。PowerVia BSPDN的引入通过从芯片正面卸载电源线，释放信号布线空间，进一步优化布局。
英特尔预计在2025年晚些时候为客户端PC处理器“Panther Lake”量产芯片，并于2026年初为Clearwater Forest数据中心系统提供芯片。此外，2025年中期将完成首批第三方Intel 18A芯片设计的流片。据悉，英特尔、Alphawave Semi、苹果和英伟达的工程师共同撰写了一篇关于使用Intel 18A工艺实现PAM-4发射器的论文，表明这些公司对该技术表现出兴趣。

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