三星电子发力HBM4：4nm工艺逻辑芯片良率超40%

据业内人士透露，三星电子代工部门采用4nm工艺生产的逻辑芯片测试良率已超过40%。这一进展为其在高带宽存储器（HBM）技术领域的竞争注入新动力，尤其是在开发和量产第六代高带宽存储器（HBM4）方面。
一位半导体业内人士指出，“初始测试生产良率达到40%已属不错，业务可以立即展开。”他补充道，代工流程良率通常从10%左右起步，随着量产推进会逐步提升。三星目前在HBM3E（第五代HBM）市场落后于SK海力士和美光，因此正全力推进HBM4逻辑芯片的生产。这种芯片采用先进制程工艺，不仅性能提升显著，还能根据客户需求定制设计，灵活应对“定制HBM”市场需求。
三星电子HBM4业务的成败关键在于其内存业务部门正在开发的10nm级第六代（1c）DRAM。HBM4的12层产品需配备1c DRAM和逻辑芯片，若能实现1c DRAM的稳定量产，三星有望在HBM4性能上占据优势。
半导体业内人士表示，“对三星电子而言，当前的主要任务是稳定HBM搭载的DRAM及封装技术。”这将是其在HBM市场竞争中取得突破的关键所在。

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