三星1c DRAM样品生产测试或推迟，HBM4量产计划受影响

据韩媒Deal Site援引三星电子（Samsung Electronics）内部消息人士透露，原定于2025年7月进行的1c DRAM样品生产测试可能因重新设计过程中遇到困难而推迟至2025年10月。目前良率状况尚不明确，这一延迟可能进一步影响三星计划于2025年下半年量产基于1c DRAM的HBM4。
三星在推动1c DRAM重新设计时，选择部分放弃成本竞争力，转而优先确保良率。这一策略与过去注重生产效率的思路截然不同。此前，三星在引入极紫外光（EUV）微影设备时，更注重生产效率而非稳定性。然而，从1z DRAM开始，电容器漏电问题逐渐显现。三星通过增加电容器长度并减少厚度来提高生产效率，但这种设计也导致电容器存储电流的空间减少，从而增加了稳定性风险。
目前，三星正尝试通过增加电容器厚度、降低高度等方式改善其结构，但这一过程颇具挑战。与此同时，三星扩大了1c DRAM的芯片尺寸，以降低制造难度。芯片尺寸增大意味着电路绘制范围更广，从而减少电路间干扰，为重新设计提供更多便利。
此外，三星还减少了1c DRAM中EUV的使用层数，从最初的8~9层减少至6~7层，降幅约为30%。这一调整不仅旨在提升制程稳定性，还试图部分抵消因芯片尺寸扩大而导致的成本竞争力下滑。然而，即便采取了这些措施，稳定性仍未达到预期水平。
对于上述传闻，三星相关人士回应称，1c DRAM的开发正按计划顺利推进。不过，如果延迟传闻属实，三星与竞争对手的技术差距可能进一步扩大。

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