前英特尔CEO加入xLight，推动FEL-EUV光源2028年商用

前英特尔CEO帕特·基辛格近日在LinkedIn平台上宣布，已加入xLight公司担任执行董事长。xLight官网也在上个月确认了这一消息。
xLight是一家专注于极紫外（EUV）光刻机技术的初创公司，致力于开发基于直线电子加速器的自由电子激光（FEL）技术的EUV光源系统。据称，该系统可将成本降低3倍，并计划在2028年实现商用，同时兼容现有设备。
帕特·基辛格表示：“我们正迎来自互联网诞生以来计算基础设施最具变革性的时刻。我期待与xLight合作，推动下一代半导体制造技术。自由电子激光器是光刻技术的未来，而xLight在粒子加速器技术领域处于领先地位。”
xLight CEO Nicholas Kelez称：“帕特·基辛格认同EUV光刻技术是解锁下一代计算的关键。他对半导体行业的深刻理解让他迅速意识到xLight系统对美国半导体制造业的重要性。我们非常高兴他加入董事会。”
EUV-FEL光源的技术优势
近年来，美国、中国、日本等国家的研究机构正在研发基于直线电子加速器的自由电子激光（FEL）技术的EUV光源系统，以绕过ASML的EUV-LPP技术路线，大幅降低成本。其中，基于FEL技术的EUV光源方案备受关注，主要包括振荡器FEL和自放大自发辐射（SASE）FEL两种类型。
SASE-FEL技术利用加速器提供的高质量电子束自放大辐射，无需外部种子或振荡器，适合短波长FEL。而直线加速器分为正常传导和超导两种类型，其中超导直线加速器因低热负荷和高束团重复频率更适合高功率自由电子激光器。
与EUV-LPP相比，基于能量回收直线加速器（ERL）的EUV-FEL光源具有显著优势：可产生超过10kW的高EUV功率，且无锡滴碎片污染，支持多台EUV光刻机同时运行，同时大幅降低运营成本。
成本降低3倍，商业化前景广阔
根据日本高能加速器研究组织（KEK）的研究数据，EUV-FEL光源的建设和运行成本仅为EUV-LPP光源的1/3。EUV-LPP光源的高成本主要来自集光镜维护和能源消耗，而EUV-FEL光源通过能量回收方案和超导加速器技术克服了这些问题。
xLight公司正开发基于ERL的EUV-FEL光源系统，其功率可达当前最先进EUV光源系统的四倍（约1000W），并计划在2028年实现商业化。帕特·基辛格表示，xLight的技术可将每片晶圆的光刻成本降低约50%，单个光源系统可支持多达20台ASML EUV光刻机，使用寿命长达30年。
尽管ASML仍在改进EUV-LPP光源技术，但xLight的目标并非取代ASML的光刻工具，而是提供兼容的EUV光源系统。其HVM兼容系统设计旨在推动半导体制造业的持续进步。
技术挑战与未来展望
尽管EUV-FEL光源具有诸多优势，但其体积庞大，难以融入现有晶圆厂的洁净室环境。此外，ASML曾考虑转向EUV-FEL技术，但最终选择EUV-LPP以降低风险。未来，若EUV-FEL技术商业化成功，或将融入下一代晶圆厂设计中，为半导体制造带来更经济、更可持续的解决方案。

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