中企冲刺HBM，韩国担忧复刻“LCD”逆袭
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时间：2025-04-12 10:39:58
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导读近日，有消息传出，国内已将目光瞄准高带宽存储器（HBM）领域。长鑫存储计划在2026年量产HBM3，随后于2027年生产HBM3E；而以生产NAND Flash为主的长江存储，也准备通过子公司进军HBM市场。这预示着在不久的将来，中国企业将与三星电
近日，有消息传出，国内已将目光瞄准高带宽存储器（HBM）领域。长鑫存储计划在2026年量产HBM3，随后于2027年生产HBM3E；而以生产NAND Flash为主的长江存储，也准备通过子公司进军HBM市场。这预示着在不久的将来，中国企业将与三星电子、SK海力士等巨头正面交锋。据韩媒Newdaily援引业界消息，长鑫存储目前正全力投入HBM3的开发工作。中国在存储器领域的快速发展，尤其是在HBM方面的发力，让韩国部分人士担忧，当年LCD产业被中国赶超的局面是否会在存储器领域重演。韩国业界预测，中国存储器企业将在两年内量产第五代HBM3E产品。相关数据显示，2024年三星和SK海力士的DDR4市场占比约为30%，但到2025年这一比例已迅速降至个位数，不少企业计划在2025年底前停止DDR4生产。这意味着在短短一两年间，中国在DDR4市场已成功抢占先机。随着AI市场的迅速扩张，三星和SK海力士等韩企将重点转向HBM等高附加值的高性能存储器，试图以此作为新的利润增长点。但如今，中国企业也加快脚步进入HBM市场，这无疑加剧了韩国半导体企业的危机感。韩国现代汽车证券报告指出，中国DRAM企业正在开发HBM3和HBM2E，预计未来两到三年内，中国生产的HBM有望应用于华为昇腾系列产品。目前，长鑫存储是国内为数不多具备HBM生产潜力的企业，不过也有观察人士认为，以生产NAND为主的长江存储可能通过子公司武汉新芯加速进入HBM市场，因为武汉新芯据传拥有HBM量产所需的矽穿孔（TSV）设备，有望借助这些设备开展HBM的生产研发工作。IBi28资讯网——每日最新资讯28at.com
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