创意电子率先完成HBM4 IP投片

4月2日，创意电子宣布成功完成HBM4控制器与PHY IP的投片，成为全球首家达成此成就的公司。据官方数据，该IP支持高达12Gbps的数据传输速率，并在所有sign-off PVT条件下保持高总线利用率。创意电子采用台积电最先进的N3P制程技术，并结合CoWoS®-R先进封装技术。
HBM4 IP在设计上具备多项亮点，包括创新的中介层布局设计，确保在各类CoWoS技术下实现最佳信号完整性（SI）与电源完整性（PI）。此外，HBM4 PHY相比HBM3实现了2.5倍的带宽提升，功耗效率提升1.5倍，面积效率提升2倍。内建的实时I/O及clock能效监测电路由proteanTeds提供，进一步增强了其性能表现。
创意电子总经理戴尚义表示，公司通过整合HBM4、UCIe-A与UCIe-3D IP，为半导体产业提供全面性解决方案，以满足市场对高性能内存的持续需求。随着AI大模型训练、数据中心加速等应用快速发展，HBM技术成为解决“内存墙”瓶颈的关键。据TrendForce集邦咨询数据显示，2024年HBM需求位元年成长率接近200%，2025年将再翻倍。
HBM4的研发涉及代工厂、存储厂商与IP设计公司的紧密合作。创意电子基于台积电N3P制程技术打造的HBM4 IP，性能与能效相比N3E进一步优化。CoWoS-R封装技术已被广泛应用于高端GPU与AI芯片，如NVIDIA的H100/B100及AMD的Instinct MI300系列。目前，Synopsys、Cadence等EDA厂商已推出HBM4 IP验证工具，但完整方案仍由少数厂商提供。存储厂商如SK海力士与三星计划在2026年量产HBM4芯片，创意电子此次投片标志着IP设计环节的提前就绪。

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