三星12层HBM3E重新设计，5月或迎NVIDIA测试结果

据韩媒《产业经济》援引半导体业界消息，三星电子的12层HBM3E存储器在3月底进入重新设计阶段，预计将在5月中旬或5月底再次接受NVIDIA的品质测试。这一消息引发业界广泛关注。
三星此前曾向NVIDIA提供12层HBM3E样品，但因未能达到客户要求，产品从“预量产”（PRA）阶段退回至客户样品（CS）阶段。据韩国业界人士透露，重新设计通常需要约2个月时间，此次改进主要集中在矽穿孔（TSV）制程等方面。尽管外界曾猜测“发热”是导致测试未通过的主要原因，但三星技术相关人士否认了这一说法，暗示设计问题才是关键。
三星半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉在3月的股东大会上表示，公司正积极回应客户反馈，并预计这些改进成果将在2025年第2季或下半年显现。他还强调，12层HBM3E将在未来市场中扮演重要角色。
目前，三星尚未对具体细节作出进一步说明。若此次重新设计成功，产品有望在2025年第1季完成品质测试，为市场带来新的竞争动力。

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