广东芯粤能成功研发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台

据长三角国际半导体博览会消息，广东芯粤能半导体有限公司（简称“芯粤能”）近期宣布，经过近两年的技术研发与测试，公司已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。这一平台采用芯粤能自主研发的沟槽MOSFET结构，具备显著降低比导通电阻、提高电流密度等优势，同时有效突破了平面MOSFET性能提升的瓶颈，大幅提升了芯片性能并降低了成本。
芯粤能表示，第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台的1200V试制品表现优异，单片最高良率超过97%。在23mm²芯片尺寸下，导通电阻为12.5mΩ，比导通电阻为2.3mΩ•cm²，其性能指标已达到国际领先厂商的主流水平。此外，该产品在温升系数、开关损耗、抗雪崩和抗短路能力等方面均能满足产业应用需求，并于2025年1月通过了HTGB、HTRB、HV-H3TRB等关键可靠性测试的1000小时考核，实现零失效。
除第一代产品外，芯粤能正在积极推进第二代和第三代沟槽MOSFET的研发工作，以进一步巩固其在国内的技术领先地位，并逐步实现对国际领先厂商的赶超。
据透露，芯粤能在2024年完成了10亿元的A轮融资，投资方包括广东省集成电路基金和国投创业等机构。这笔资金将用于8英寸产线的建设及市场拓展。芯粤能计划总投资75亿元，分两期建设年产48万片碳化硅晶圆的生产线，目标是在2026年实现产能全面释放。

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-27-137730-0.html广东芯粤能成功研发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： 三星为Galaxy S24系列和折叠屏手机推送One UI 7.0 Beta更新

下一篇： 江苏设立5亿元基金助力第三代半导体发展