因涉嫌泄露18纳米制程技术，三星前部长被判处有期徒刑7年

三星电子一位离职部长因涉嫌向长鑫存储泄露半导体核心技术，近日在韩国法院一审被判处有期徒刑7年，并处罚金2亿韩元（约13.7万美元）。Qlg28资讯网——每日最新资讯28at.com

Qlg28资讯网——每日最新资讯28at.com

据称，该部长泄露了三星18纳米DRAM制程信息，对三星及韩国产业竞争力造成重大负面影响。Qlg28资讯网——每日最新资讯28at.com

Qlg28资讯网——每日最新资讯28at.com

该部长于2016年离职后，加入长鑫存储并泄露了包括半导体沉积等在内的8项核心技术。此外，他还涉嫌收受贵重物品，与三星协力厂职员共谋，将半导体设备设计数据交给中国企业。Qlg28资讯网——每日最新资讯28at.com

Qlg28资讯网——每日最新资讯28at.com

韩国国家情报院掌握技术泄露情况后，请求检方调查。首尔中央地方检察厅于2024年1月对嫌疑人提起公诉。Qlg28资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-27-132581-0.html因涉嫌泄露18纳米制程技术，三星前部长被判处有期徒刑7年

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： CreateAI解散广州子公司，裁员百余人

下一篇： 华为尊界S800发布前，ZF控东安动力专利侵权