消息称三星 3nm 工艺初期良率 10-20%，现已提升 3 倍但仍落后于台积电

3 月 22 日消息，消息源 @Tech_Reve 近日发布推文，表示三星 3nm 工艺初期良率为 10-20%，近期已提高了 3 倍多，但相比较采用 FinFET 技术的台积电，其良率依然偏低。DN828资讯网——每日最新资讯28at.com

DN828资讯网——每日最新资讯28at.com

消息源表示三星寄希望于第二代 3nm 技术，性能，功耗和面积（PPA）指标相当于台积电的 N3P 工艺。知情人士透露三星第二代 3nm 工艺与 4nm FinFET 技术相比，能效和逻辑面积提高了 20-30%。DN828资讯网——每日最新资讯28at.com

IT酷哥此前报道，三星计划今年下半年量产第二代 3nm 工艺。三星电子 DS 部门下属 Foundry 业务部负责人崔时荣表示三星的第二代 3nm 和首代 2nm 是两个不同的工艺，此前收到日本 AI 企业 Preferred Networks 的 2nm AI 芯片订单，也是三星的首个 2nm 订单。DN828资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-26-78673-0.html消息称三星 3nm 工艺初期良率 10-20%，现已提升 3 倍但仍落后于台积电

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： 阿里云飞天企业版通过信通院“面向一云多芯的专有云技术能力”评测

下一篇： 智汇云舟受邀参加第四届中国石油石化安全生产与应急管理技术大会