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三星HBM4芯片英伟达测试表现亮眼,有望明年上半年开启供货新征程

来源: 责编: 时间:2025-12-26 09:29:56 180观看
导读据韩国科技媒体披露,三星电子在下一代高带宽内存HBM4的研发进程中取得关键突破。消息人士透露,三星为英伟达明年计划推出的新一代AI加速器定制的HBM4产品,在系统级封装(SiP)测试中斩获行业最高评分,运行速度与能效表现均领

据韩国科技媒体披露,三星电子在下一代高带宽内存HBM4的研发进程中取得关键突破。消息人士透露,三星为英伟达明年计划推出的新一代AI加速器定制的HBM4产品,在系统级封装(SiP)测试中斩获行业最高评分,运行速度与能效表现均领先于其他内存供应商。QJ228资讯网——每日最新资讯28at.com

半导体行业知情人士称,英伟达技术团队上周专程赴三星平泽工厂,重点核验HBM4的SiP技术整合进度。这种封装技术通过将GPU核心、存储芯片、中介层及电源管理模块等组件集成于单一封装体,可显著提升数据传输效率并降低功耗。测试数据显示,三星方案在带宽密度和每瓦性能等核心指标上达到行业标杆水平,为其通过英伟达质量认证增添重要筹码。QJ228资讯网——每日最新资讯28at.com

市场分析认为,若三星能按计划在明年上半年通过最终验证,其HBM4供货量或将远超预期。有供应链消息指出,英伟达对三星产品的需求规模较内部评估值高出30%以上,这可能为三星半导体业务带来数十亿美元的营收增长。三星平泽P4生产线扩建工程已进入最后阶段,预计首季度可完成产能爬坡,二季度启动全面量产。QJ228资讯网——每日最新资讯28at.com

尽管三星在技术测试中表现亮眼,但其主要竞争对手SK海力士仍保持先发优势。SK海力士已于9月完成HBM4量产线调试,并向英伟达交付首批付费样品进入试产阶段,较三星提前约三个月。不过业内人士指出,相较于HBM3E时代两家企业近一年的技术代差,此次HBM4的研发竞赛差距已大幅收窄。QJ228资讯网——每日最新资讯28at.com

系统级封装技术正成为HBM市场竞争的新焦点。该技术通过三维堆叠设计突破传统封装限制,使内存带宽密度提升数倍的同时,将信号传输延迟控制在纳秒级别。英伟达等AI芯片厂商普遍认为,SiP技术将成为突破算力瓶颈的关键路径,这也解释了为何头部企业纷纷加大在该领域的研发投入。QJ228资讯网——每日最新资讯28at.com

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