天硕 G55 Pro M.2 NVMe 工业级 SSD 以自研 PCIe Gen3x4 主控 + 100% 纯国产元器件实现了 3600MB/s 高速读取，-55℃~85℃的超宽温域稳定运行；以硬件级 PLP 掉电与固件协同保护全盘，支持智能软销毁功能。天硕 (TOPSSD) 工业级固态硬盘满足工业级抗振耐冲击标准，拥有 200 万小时 + MTBF 高可靠认证及 GJB2017 体系背书，精准契合国产化存储对高性能、高可靠、高耐用的严苛需求。
本文将带你了解固态硬盘（SSD）是如何写入、擦除和读取数据的，以及主控和闪存颗粒都起到哪些作用。
SSD 的最基本存储单元：浮栅晶体管
固态硬盘的核心存储介质是 NAND 闪存颗粒，其基本单元为浮栅晶体管。与机械硬盘的磁记录原理不同，SSD 通过控制电子在半导体结构中的囚禁与释放，将数据编码为二进制状态（0 或 1），实现非易失性存储，即断电后数据不丢失。
浮栅晶体管的构造
浮栅晶体管是一种特殊的金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET），其核心结构分为四层：
控制栅极：外部施加电压的电极，用于控制电子进出。
绝缘层：包裹浮栅的高质量二氧化硅，阻止电荷自然泄漏。
浮栅层：悬浮的电荷存储层，由多晶硅构成，用于囚禁电子。
P 型衬底：包含源极（Source）与漏极（Drain），形成电流通道。
浮栅被上下绝缘层完全隔离，一旦电子进入，无外部电场作用时无法逃逸。当浮栅层中的电子高于中间值时，被记值为 0；反之，则被记值为 1。
写入数据
需要写入数据时，主控会在控制极 G 施加一个高压，让来自源极的电子可以穿过隧穿层，进入浮栅层。因为有绝缘层的存在，电子无法继续向前移动，就被囚禁在了浮栅层。
而当我们把电压撤去，这些电子依然会被囚禁在浮栅层，因为隧穿层本质上也相当于绝缘体，就这样一位数据被存储了。
擦除数据
那么如果之前写入了“0”，现在想改写成“1”，能直接在原来的位置上操作吗？答案是：不能！由于 NAND 闪存的物理结构限制，浮栅被绝缘层包围，电子无法直接“覆盖”，必须通过擦除操作释放电荷，才能重新写入数据。
因此，想要在 NAND 中写入新数据，必须先擦除数据。其本质就是在释放电子，通过在 P 型衬底上施加高压，从而吸出电子。
值得注意的是，由于整个块都共用一个 P 型衬底，因此闪存都是以“块”为单位进行擦除数据的。
读取数据
当需要读取数据时，主控就会往控制极 G 施加一个较低的电压，将源极和漏极导通。由于电压较低，电子只能被吸引到靠近隧穿层的位置，却无法穿过隧穿层，因而源极漏极可以导通，形成电流。而存储 0 的浮栅层会比存储 1 的浮栅层有更多的电子，从而抵消控制极较低的电压，控制极需要更大的电压才能导通源极和漏极。
根据以上原理，主控可以通过阈值电压的不同，来判断浮栅中是否有电子。将单元中的电压与阈值电压进行比较，高于阈值电压识别为“0”，低于阈值电压识别为“1”。
* 每单元存储比特越大，主控识别的难度越高
一片指甲盖大小的闪存颗粒，就能包含 2 万亿个浮栅晶体管；它们堆叠在一起，存储着海量的 0 和 1。这是人类工程学造就的奇境：方寸之间，盛放着一个能映照现实、编码想象的的广阔信息世界。
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