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我国科学家技术突破存储芯片无限次擦写引围观：TLC、QLC买谁恐不再纠结

来源：责编：时间：2024-07-01 17:11:22 83观看

导读快科技7月1日消息，据国内媒体报道称，四川科学家借力AI 开发出“耐疲劳铁电材料”，让存储芯片无限次擦写。报道中提到，电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队联合复旦大学、中国科学院宁波材

快科技7月1日消息，据国内媒体报道称，四川科学家借力AI 开发出“耐疲劳铁电材料”，让存储芯片无限次擦写。

报道中提到，电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队联合复旦大学、中国科学院宁波材料技术与工程研究所在国际知名学术期刊《Science》上发表新研究成果，开发出“耐疲劳铁电材料”，在全球范围内率先攻克困扰领域内70多年的铁电材料疲劳问题。

铁电材料在经历反复极化切换后，极化只能实现部分翻转，导致铁电材料失效，即铁电疲劳。这一问题早在1953年就已被研究者发现报道，但至今铁电材料的疲劳问题仍未得到有效的解决。

针对这一问题，刘富才教授研究团队发现新型的滑移铁电体具有天然的耐疲劳特性。这是因为滑移铁电机制与传统铁电材料的离子位移机制有明显的不同。

之前有关TLC、QLC的争议不断，前者成本低，容量大，但速度慢，寿命短（企业级TLC普遍在7000~10000PE），而后者的寿命则更差，不过之前长江存储宣布，旗下QLC闪存擦写4000次，而如果上述新材料被运用到这些领域，可能会带来行业新的变革。

据悉，不少欧美大厂已经注意到上述新技术，并且保持密切关注。

我国科学家技术突破存储芯片无限次擦写引围观：TLC、QLC买谁恐不再纠结

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