当前位置：首页 > 科技 > 数码

3D闪存哪家强：姜还是三星的辣长江仅次之

来源：责编：时间：2024-06-19 08:33:55 74观看

导读近日，市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、铠侠(西部数据)、YMTC的200层以上的3D NAND Flash进行了对比分析，发现三星的垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是高的。传统的

近日，市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、铠侠(西部数据)、YMTC的200层以上的3D NAND Flash进行了对比分析，发现三星的垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 是高的。

传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构，包括控制栅极（Control Gate）和浮动栅极（Float Gate）。通过向单元施加电压，电子在浮动栅极中存储和移除。

多年来，供应商将平面 NAND 的单元尺寸从 120nm 缩小到 1xnm 节点，使容量增加了 100 倍。

然而，当单元尺寸达到了 14nm 的极限，这意味着该技术不再可扩展，由此NAND原厂纷纷转向3D NAND，以实现超过 2D NAND 结构的数据密度，并能够在更新一代的技术节点上制造。

具体来说，平面 NAND 由带有存储单元的水平串组成，而在 3D NAND 中，存储单元串被拉伸、折叠并以“U 形”结构垂直竖立。

实际上，这些单元以垂直方式堆叠以缩放密度，因此，3D NAND存储单元有多个层级。

3D闪存哪家强：姜还是三星的辣长江仅次之

3D NAND的层数描述了堆叠在一起的字线（Word Line）数量。在这些字线层上切出一个垂直柱，柱子与每条字线的交点代表一个物理单元。

也就是说，每个 3D NAND 存储单元都类似于一个微小的圆柱形结构。

每个微小单元由中间的垂直通道和结构内部的电荷层组成，通过施加电压，电子可以进出绝缘电荷存储膜，然后读取信号。

平面 NAND 在每个节点上都减小了单元尺寸， 3D NAND 则采用了更宽松的工艺，大约在 30nm 到 50nm 之间。

3D NAND 内存容量的扩展主要是通过添加垂直层来实现的，在这种3D NAND结构中，单元密度会随着堆栈中层数的增加而增加。

然后，每隔一到两年，供应商就会从一代技术迁移到下一代技术。

根据研究数据显示，供应商平均每代 3D NAND 都会增加 30% 至 50% 的层数，而每一代新的芯片将会增加 10% 至 15% 的晶圆成本。这也使得NAND 的每bit成本能够平均以每年约20%幅度降低。

现在，超过200层的TLC NAND 产品已经逐渐成为主流，比如三星236层NAND 、SK 海力士 238层NAND、美光 232层NAND 、YMTC 232层NAND。

此外还有一些接近200层的厂商，比如铠侠（KIOXIA）和西部数据的 112层/162层NAND 和 Solidigm 的 144层/ 192层 (FG) NAND。

3D闪存哪家强：姜还是三星的辣长江仅次之 Techinsights从 SK 海力士 2TB SSD PC811 HFS002TEM9X152N (设备：H25T3TDG8C-X682) 中提取了 SK 海力士 238L 512 Gb 3D NAND 芯片，该芯片尺寸为 34.56mm²，位密度为 14.81 Gb/mm²。

谈到 3D NAND 单元效率，垂直单元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 对于 NAND 单元工艺、设计、集成和设备操作而言非常重要。

随着堆叠的总栅极数量的增加，单元 VC（vertical cell）孔高度也会增加。

为了降低 VC 高度和纵横比，其中一种方法是通过减少虚拟栅极（dummy gates）、通过栅极（passing gates）和选择栅极（select gates）的数量来提高垂直单元效率。

垂直单元效率可以用总栅极中active cell 的百分比来定义，也就是用active WL （Word Line）除以集成的总栅极数来计算。

垂直单元效率越高，工艺集成度越高，纵横比越低，整体效率越高。

3D闪存哪家强：姜还是三星的辣长江仅次之

VCE可定义为活跃单元占总栅极的比例，即Active WL 数量除以总集成栅极数量 x 100%。

例如，一个NAND串由Active WL、通道WL（含dummy WL）和选择器（源极/漏极）组成。

若其包含96个Active WL和总计115个栅极，则VCE为83.5%，计算方法为96/115×100%。

VCE越高，对工艺集成越有利，能实现更低的纵横比和更高的生产效率。

Techinsights发现，在多代 3D NAND 产品中，三星始终以高的垂直单元效率领跑行业。他们新的多层V-NAND 在前几代以高效著称的基础上，拥有令人印象深刻的垂直单元效率。

美光和YMTC也在其产品中展示了强劲的垂直单元效率数据，这反映出它们在减少虚拟栅极、通过栅极和选择栅极数量方面取得了显著进步，从而优化了垂直单元效率。

3D闪存哪家强：姜还是三星的辣长江仅次之 △3D NAND 垂直单元效率趋势

总结来看，三星每一代产品的VCE都是高的，比如采用单层结构的128层是94.1%，176层COP V-NAND是92.1%，236层2nd COP V-NAND是94.8% 。

YMTC的232层Xtacking 3.0的VCE是91.7%，美光232层是91%。

铠侠162层的VCE稍低一些，为88%。

SK海力士238层共有259个门，VCE为91.9%，仍然低于三星的236L。

文章出处：芯智讯

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-24-94637-0.html3D闪存哪家强：姜还是三星的辣长江仅次之

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇：芝奇内存一口气打破31项超频纪录！i9-14900K突破8.8GHz

下一篇：超薄的兆芯KX-6000G ITX迷你小板发布：四核3.3GHz、高性能GPU三屏输出

标签：

热门焦点

K8S | Service服务发现

一、背景在微服务架构中，这里以开发环境「Dev」为基础来描述，在K8S集群中通常会开放：路由网关、注册中心、配置中心等相关服务，可以被集群外部访问；图片对于测试「Tes」环境或者
三言两语说透柯里化和反柯里化

JavaScript中的柯里化(Currying)和反柯里化(Uncurrying)是两种很有用的技术，可以帮助我们写出更加优雅、泛用的函数。本文将首先介绍柯里化和反柯里化的概念、实现原理和应用
一文搞定Java NIO，以及各种奇葩流

大家好，我是哪吒。很多朋友问我，如何才能学好IO流，对各种流的概念，云里雾里的，不求甚解。用到的时候，现百度，功能虽然实现了，但是为什么用这个？不知道。更别说效率问题了~下次再遇到，
2天涨粉255万，又一赛道在抖音爆火

来源：运营研究社作者 | 张知白编辑 | 杨佩汶设计 | 晏谈梦洁这个暑期，旅游赛道彻底火了：有的「地方」火了——贵州村超旅游收入 1 个月超过 12 亿；有的「博主」火了&m
华为发布HarmonyOS 4：更好玩、更流畅、更安全

在8月4日的华为开发者大会2023（HDC.Together）大会上，HarmonyOS 4正式发布。自2019年发布以来，HarmonyOS一直以用户为中心，经历四年多的发展HarmonyOS已
三星电子Q2营收60万亿韩元存储业务营收同比仍下滑超过50%

7月27日消息，据外媒报道，从三星电子所发布的财报来看，他们主要利润来源的存储芯片业务在今年二季度仍不乐观，营收同比仍在大幅下滑，所在的设备解决方案
iQOO 11S新品发布会

iQOO将在7月4日19:00举行新品发布会，推出杭州亚运会电竞赛事官方用机iQOO 11S。
滴滴违法违规被罚80.26亿共存在16项违法事实

滴滴违法违规被罚80.26亿存在16项违法事实开始于2121年7月，历经一年时间，网络安全审查办公室对“滴滴出行”网络安全审查终于有了一个暂时的结束。据“网信
电博会上海尔智家模拟500平大平层，还原生活空间沉浸式体验

电博会为了更好地让参展观众真正感受到智能家居的绝妙之处，海尔智家的程传岭先生同样介绍了展会上海尔智家的模拟500平大平层，还原生活空间沉浸式体验。程传