12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端 3nm 芯片。
注：专利中提及 GAA 技术适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片，但这并不代表着长鑫存储当前具备制造 3nm 的能力。
根据《南华早报》报道，长鑫存储虽然没有发布相关的样品，但本次论文的发布，引发了行业分析师对该公司下一代内存的广泛关注，表明长鑫在面对美国封锁下，不断加强自主芯片开发能力。
华邦电子的储存芯片专家 Frederick Chen 表示，长鑫存储的进展令人印象深刻，因为代表这家公司达不断追赶，缩小在技术方面的差距。
长鑫存储发表声明称，该论文描述了与 DRAM 结构和 4F2 设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产工艺无关，暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。
长鑫存储两周前发布，已生产出大陆首款低功耗双倍资料速率 5（LPDDR5）DRAM 芯片，缩小了与韩国三星和 SK 海力士等领先厂商的差距。
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