史上先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光

快科技6月29日消息，全球大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，为未来十年的芯片产业做准备。1HM28资讯网——每日最新资讯28at.com

Jos Benschop表示，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机，可满足2035年之后的制程需求。1HM28资讯网——每日最新资讯28at.com

据悉，ASML目前出货的先进光刻机，可达到单次曝光8nm分辨率。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，而且良率也有限。1HM28资讯网——每日最新资讯28at.com

Benschop指出，ASML正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，目前尚未设定具体上市时间表。1HM28资讯网——每日最新资讯28at.com

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 当NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。1HM28资讯网——每日最新资讯28at.com

目前标准EUV光刻机的NA为0.33，新一代High NA EUV则提升至0.55。 当下，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。1HM28资讯网——每日最新资讯28at.com

1HM28资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-24-165047-0.html史上先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： AOC推出新款27寸专业显示器：5K 70Hz屏首发6999元

下一篇： AMD服务器市场紧追不舍！Intel份额降至 62%：差距一步步缩小