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三星电子开发3.3D封装技术:有望2026 Q2量产

来源: 责编: 时间:2024-07-03 17:15:03 270观看
导读 近日,根据韩媒ETNews的消息,三星电子AVP先进封装部门正在开发面向AI半导体芯片的“3.3D”先进封装技术。根据目前放出的消息,这一封装技术将GPU垂直堆叠在LCC(即SRAM缓存)上,两部分键合为一体,类似于三星电子现有X-Cube 3D

近日,根据韩媒ETNews的消息,三星电子AVP先进封装部门正在开发面向AI半导体芯片的“3.3D”先进封装技术。yfK28资讯网——每日最新资讯28at.com

根据目前放出的消息,这一封装技术将GPU垂直堆叠在LCC(即SRAM缓存)上,两部分键合为一体,类似于三星电子现有X-Cube 3D IC封装技术。yfK28资讯网——每日最新资讯28at.com

而在GPU+LCC缓存整体与HBM的互联中,3.3D封装技术将GPU+LCC和HBM位于铜RDL重布线中介层上,用硅桥芯片实现裸晶之间的直接连接,而铜RDL 重布线层又位于载板上方。yfK28资讯网——每日最新资讯28at.com

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根据三星方面消息,该设计能够在不牺牲芯片设计的前提下,相较完全使用硅中介层的方案,降低22%的生产成本。yfK28资讯网——每日最新资讯28at.com

该技术有望在2026年第二季度实现量产。yfK28资讯网——每日最新资讯28at.com

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