8月9日消息，分析师郭明錤透露，高通骁龙8 Gen4会采用3nm工艺。由于台积电3nm成本高昂，智能手机需求在持续下滑，因此高通考虑台积电、三星双代工模式。
此前在2015年，苹果A9芯片就采用了台积电、三星双代工模式，当时A9芯片台积电版本是16nm工艺，三星版本是14nm工艺。
现在高通骁龙8 Gen4有可能会效仿苹果，据爆料，台积电版本的骁龙8 Gen4采用N3E工艺，三星版本的骁龙8 Gen4则是采用3nm GAA制程工艺。
据悉，三星是全球第一个成功将GAA技术应用到量产的3nm芯片当中的晶圆代工厂商，虽然台积电也已量产3nm工艺，但是其依然是基于FinFET晶体管架构，台积电会在2nm制程工艺上才会采用GAA技术。
根据官方披露的信息，GAA FET架构的晶体管提供了比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。这意味着在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力比FinFET更强，尺寸可以进一步微缩。
基于此，业界认为倘若高通骁龙8 Gen4部分订单交由三星代工，那么基于三星3nm GAA技术的骁龙8 Gen4表现将会优于台积电版本。
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