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国产光刻胶通过量产验证：极限分辨率达120nm

来源：责编：时间：2024-10-16 07:32:43 183观看

导读今天，中国光谷官方公众号宣布，光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现了巨大突破。根据官方介绍，武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制

今天，中国光谷官方公众号宣布，光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现了巨大突破。

根据官方介绍，武汉太紫微光电科技有限公司推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。

据悉，T150 A对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列，在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好。

此外，通过验证发现，T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

对此，太紫微公司企业负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强表示：

“以原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是个开始，我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，为国内相关产业带来更多惊喜。”

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-22-119177-0.html国产光刻胶通过量产验证：极限分辨率达120nm

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