ictimes消息，根据韩媒 ZDNET Korea 报导，三星电子近期在内存生产方面遭遇重大挑战。特别是针对即将推出的 Galaxy S25 系列，三星电子的 1b nm（即 12nm 级）LPDDR 内存样品供应出现了严重延误。这一问题主要源于三星在该技术领域的良率未达预期，导致样品供应无法如计划进行。
三星电子自2023年5月起便启动了1b nm工艺的16Gb DDR5内存生产，并在9月推出了32Gb DDR5产品。尽管公司一直在积极推进1b nm LPDDR移动内存的开发，但最新消息显示，今年6月三星的1b nm DRAM内存产品良率不足50%。这种状况不仅影响了产品的质量，还导致了供货时间表的混乱。
据悉，三星DS部门原计划在8月前向MX部门提供12Gb和16Gb容量的1b nm LPDDR内存样品，以支持Galaxy S25系列的开发。然而，由于良率问题，供应的样品数量远低于需求。MX部门已经对此提出抗议，并正在重新评估手机的DRAM供应计划。
在DRAM行业中，实现稳定且经济的大规模生产，内存良率通常需要达到80%以上。显然，三星当前的良率远未达到这一标准。这一挑战不仅考验了三星的生产能力，也可能对Galaxy S25系列的发布进度产生影响。
尽管面临这些挑战，三星电子在技术上的不断探索和创新仍然值得肯定。公司在突破性的内存技术开发上付出了巨大的努力，未来一旦解决生产问题，三星有望在市场上继续保持竞争优势。
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