快科技7月3日消息，铠侠宣布，推出基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四级单元）闪存，目前已开始送样。
据悉，这款2Tb QLC存储器拥有业界大容量，将存储器容量提升到一个全新的水平，将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。
凭借其新的BiCS FLASH技术，通过专有工艺和创新架构，铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。
此外，铠侠还开发了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术，以提供更高的位密度和业界领先的接口速度（3.6Gbps(4)）。这些先进技术的应用，共同促成了2Tb QLC存储器的诞生，成就了业界容量大的存储器。
全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。
不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，为业界提供领先的4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。
除2Tb QLC之外，铠侠还推出了1Tb QLC版本。相较于容量优化的2Tb QLC，1Tb QLC的顺序写入性能还能再提升约30%，读取延迟提升约15%。1Tb QLC更适用于高性能领域，包括客户端SSD和移动设备。
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