快科技7月24日消息，据媒体报道，作为国内大的DRAM芯片制造商，也是唯一能生产DDR4/LPDDR4内存芯片的厂商，长鑫存储（CXMT）在今年初完成了向DDR5/LPDDR5芯片的技术切换。
近期，长鑫存储正逐步减少DDR4出货量，将重心转向DDR5，并计划升级工艺以提高产量。然而，其DDR5量产计划似乎遇到了阻碍。
主要问题在于其生产DDR5所使用的制程工艺相对落后。长鑫存储采用了其第四代DRAM节点技术来制造DDR5，导致芯片面积比三星同类产品大出约40%，成本显著提高，不利于大规模量产。更关键的是，该工艺下的芯片品质和良品率仍未达到理想水平。
成本之外，可靠性也是挑战。早期测试发现，其DDR5内存模块在高温或低温环境下存在稳定性问题。为此，长鑫存储不得不重新修改芯片设计以提升可靠性。
此前业内普遍预期长鑫存储将在2025年5月或6月开始DDR5的大规模量产，但截至7月，大规模出货尚未实现。尽管部分技术问题已得到解决，但良品率仍徘徊在50%左右，远未达到大规模生产的理想要求。
尽管如此，长鑫存储的DDR5技术已追平南亚科技的水平，正在缩小与领先DRAM厂商的差距。综合当前进展，预计长鑫存储的DDR5芯片要到2025年末才能进入稳定的大规模生产阶段。
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