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传言三星曾有意在美建DRAM厂，最终却放弃

来源：责编：时间：2024-04-19 09:24:37 47观看

导读4月17日消息，据韩媒Alphabiz报道，三星电子原本考虑在美国得克萨斯州泰勒市建立一座先进DRAM内存晶圆厂，然而，经过深入评估和多方考量，该公司最终决定在此地建设先进封装设施。本周，三星电子与美国政府达成初步协议，将获得高

4月17日消息，据韩媒Alphabiz报道，三星电子原本考虑在美国得克萨斯州泰勒市建立一座先进DRAM内存晶圆厂，然而，经过深入评估和多方考量，该公司最终决定在此地建设先进封装设施。

本周，三星电子与美国政府达成初步协议，将获得高达64亿美元的补贴，以支持其在泰勒市的投资计划。根据协议，三星将在该地建设两座先进逻辑代工厂、一座先进封装厂以及一座先进制程研发设施。这一变动反映了三星电子在全球半导体产业布局中的灵活策略调整。

据ITBEAR科技资讯了解，三星原初的设想是在泰勒市建造一座采用10nm级先进制程的DRAM内存晶圆厂，相关讨论在协议签署前的最后一刻仍在进行。美国方面为这一内存厂建设计划提供了诱人的条件，而三星也对此展现出积极的态度。

然而，该计划最终未能成形，主要受制于多重因素。从技术角度和成本控制考量，在美国建立先进的内存生产线存在不小的挑战。同时，韩国政府对此计划表示了反对意见，这可能也是影响三星决策的重要因素。

美国和泰勒市政府在排污审批方面对先进封装业务表现出了配合的态度，这无疑为三星最终选择在此建设先进封装工厂提供了便利。

有业内人士指出，相较于美国，韩国在半导体行业的支持力度上显得不足。这种情况可能促使三星电子在未来更多地考虑在美国等其他国家进行先进内存厂的建设。如果韩国政府不能展现出更大的支持力度，类似的外迁计划或许将成为现实。

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