3个原子厚度！Intel：2030年搞定1万亿晶体管

晶体管数量/密度一直是衡量半导体技术进步的重要指标，目前已经可以做到单芯片1000多亿个晶体管，比如Intel Ponte Vecchio GPU。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

IEDM 2022 IEEE国际电子器件会议上，Intel公布了多项新的技术突破，将继续贯彻已经诞生75年的摩尔定律，目标是在2030年做到单芯片集成1万亿个晶体管，是目前的10倍。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

摩尔定律原型7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

从应变硅、高K金属栅极、FinFET立体晶体管，到未来的RibbonFET GAA环绕栅极晶体管、PowerVia后置供电，再到2.5D EMIB＋3D Foveros、Foveros Direct/Omni封装技术，Intel一直在从各项技术上推动摩尔定律。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

IEDM 2022会议上，Intel披露了三个方面的技术突破：7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

1、下一代3D封装准单芯片7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

基于混合键合(hybrid bonding)，将集成密度和性能再提升10倍。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

同时，间距缩小到3微米，使得多芯片互连密度和带宽媲美如今的单芯片SoC。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

2、超薄2D材料在单芯片内集成更多晶体管7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

使用厚度仅仅3个原子的2D通道材料，Intel展示了GAA堆栈纳米片，在双栅极结构上，在室温环境、低漏电率下，达成了非常理想的晶体管开关速度。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

第一次深入揭示了2D材料的电接触拓扑，可实现更高性能、更有弹性的晶体管通道。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

3、高性能计算能效、内存新突破7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

Intel研发了可垂直堆叠在晶体管之上的全新内存，并首次展示了全新的堆叠铁电电容，性能媲美传统铁电沟道电容，可用于在逻辑芯片上打造FeRAM。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

Intel正在打造300毫米直径的硅上氮化镓晶圆，比标准的氮化镓提升20倍。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

Intel在超高能效方面也取得了新的突破，尤其是晶体管在断电后也能保存数据，三道障碍已经突破两道，很快就能达成在室温下可靠运行。7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

Intel制造工艺路线图7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

Intel封装技术路线图7fW28资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-119-2941-0.html3个原子厚度！Intel：2030年搞定1万亿晶体管

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： 真便宜！AMD Zen4锐龙三款新U定档：12核心只要65W

下一篇： 想要4080/90降价不现实！厂商仍大力推RTX 3060 8GB 华硕发白色版2599元