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三星DRAM面临挑战，美光10纳米级产品领先

来源：责编：时间：2025-03-04 15:12:24 137观看

导读近期，美光成功向客户供应第六代10纳米级DRAM样品，即1γ DRAM，速度较前一代提升15%，耗电量减少20%以上。这一进展使美光在DRAM市场上超越了三星电子。据悉，三星原计划在2024年末量产1c DRAM（线宽约11~12纳米），但受良率问题困扰

近期，美光成功向客户供应第六代10纳米级DRAM样品，即1γ DRAM，速度较前一代提升15%，耗电量减少20%以上。这一进展使美光在DRAM市场上超越了三星电子。

据悉，三星原计划在2024年末量产1c DRAM（线宽约11~12纳米），但受良率问题困扰，量产可能推迟至2025年5月或更晚。为了应对挑战，三星正在调整设计，计划扩大芯片尺寸以提高良率和稳定性。

业界指出，三星在HBM3E量产时程上也落后于美光，若1c DRAM无法及时量产，将进一步影响其HBM4竞争力。为了量产1c DRAM，三星已开始进行设备投资，在平泽四厂下订建设小规模产线的设备。

与此同时，SK海力士已在2024年8月完成1c DRAM研发，并表示已具备量产能力。SK海力士以1b DRAM的制程技术竞争力为基础，在1c DRAM上具备更高的良率稳定性，有望领先业界正式量产。

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